Intel e SoftBank desenvolvem memória ZAM com o dobro da largura de banda da HBM4

Intel e SoftBank desenvolvem memória ZAM com o dobro da largura de banda da HBM4
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Intel e Saimemory, subsidiária da SoftBank, desenvolvem a ZAM: memória 3D com topologia diagonal, 5,3 TB/s por stack e consumo até 50% menor que a HBM4, prevista para 2029. >>>

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